[独家] 三星将于下月首次向英伟达供应高性能HBM4 三星电子将于下月正式向美国英伟达和AMD等人工智能（AI）加速器市场的主要参与者供应下一代高带宽内存（HBM），HBM4（第六代），这标志着行业的首次。这是在两家公司通过最终质量测试后获得的，导致了对量产产品的订单，而不是样品。在去年第四季度通过英伟达的HBM3E（第五代）12层测试并扩大对谷歌的供应后，首次开始发货HBM4被评估为“三星的内存技术已正常化”。 根据半导体行业在25日的消息，三星电子最近通过了英伟达、AMD等公司进行的与HBM4相关的最终质量测试，并已进入下月全面发货的准备工作。三星的HBM4实现了“每秒11.7 Gb（千兆位）”，远高于英伟达和AMD所需的工作速度（每秒10 Gb）。这被评估为世界最高水平。该产品被认为将被纳入今年下半年推出的最新AI加速器中，如英伟达的“Rubin”和AMD的“MI450”。 在当前主流产品HBM3E的供应竞争中，三星电子一直落后于SK海力士和美国美光，已采取“实现最高性能”的制胜策略，以扭转HBM4市场的局面。HBM的基本材料DRAM采用10纳米（nm · 1 nm = 1/1,000,000,000 m）第六代（1c）产品，比竞争对手领先一代，作为大脑的逻辑芯片也采用了先进的4nm代工（半导体合同制造）工艺，领先于竞争对手几代。当英伟达等主要客户在去年第四季度要求提高HBM4的工作速度以增强AI加速器性能时，三星在设计最高性能时，立即通过了验证而无需重新设计。 三星电子计划通过利用从逻辑芯片设计到封装的整个HBM流程的优势，保持在下一代产品如HBM4E（第七代）和定制HBM中的领导地位。